悼念！中科院院士陳星弼在成都去世 陳星弼院士去世

2019年12月4日17時10分

國際著名半導體器件物理學家、微電子學家、

中國科學院院士、電子科大教授陳星弼

因病醫治無效

在四川成都逝世

享年89歲

陳星弼院士

1931年1月出生于上海

1952年畢業于國立同濟大學電機系

先后在廈門大學、南京工學院及中國科學院物理研究所工作

1956年開始在電子科技大學任教

1999年當選中國科學院院士

他是國際半導體界著名的超結結構(Super Junction)的發明人

該發明被稱為“功率器件的新里程碑”

其美國發明專利已被超過550個國際專利引用。

2018年，在功率半導體領域最頂級的學術年會上，陳星弼院士入選ISPSD首屆名人堂，成為國內首位入選名人堂的華人科學家。

因對我國功率半導體領域的突出貢獻，陳星弼先生于1999年當選為中國科學院院士。

因對高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻，他于2015年5月獲得IEEE ISPSD大會頒發的最高榮譽“國際功率半導體先驅獎”，成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。

2018年5月，因發明的超結器件成為國內首位入選IEEE ISPSD首屆全球32位名人堂的科學家。

陳星弼先生是我國第一批學習及從事半導體科技的人員之一，是電子工業部“半導體器件與微電子學”專業第一個博士生導師。

他是國際著名的半導體器件物理學家、微電子學家，是國際半導體界著名的超結結構(Super Junction)的發明人，也是國際上功率器件的結終端理論的集大成者。

上世紀八十年代末他提出了兩種新的耐壓層結構，并作了唯一的三維電場分析。其中超結結構打破了傳統功率器件的硅極限，被國際學術界稱為“功率器件的新里程碑”。

2000年以后，陳星弼先生的其它重要發明還包括高K電介質耐壓結構、高速IGBT、兩種多數載流子導電的器件等。

他發表超過200篇學術論文和獲得授權中美等國發明專利40余項，其中著名的超結發明專利US 5216275被國際專利他引超過550次，并授權給國際主流半導體公司。

他主持完成國家自然科學基金重點項目、軍事研究項目、國家“八五”科技攻關項目多項。獲國家技術發明獎及國家科技進步獎2項，省部級獎勵13項。

曾任電子工業部第十三所專用集成電路國家級重點實驗室學術委員會主任委員、四川省科學技術顧問團顧問等。

中國功率半導體器件領路人

陳星弼與半導體結緣于1958年。

當年，在中國科學院進修的陳星弼被漂移晶體管吸引住了，當時他被指派去為計算機做半導體器件的測試。

他以一個科研工作者的天賦，敏感地意識到這一領域具有極大的研究價值和發展潛能。不久，他寫了第一篇論文《關于半導體漂移三極管在飽和區工作時的儲存時間問題》，這篇論文被美國斯坦福大學教授畢列卡于1967年在《晶體管的電特性》中引用，日本管野卓雄教授在陳星弼發表論文4年后才發表了相關問題的論文。

真正讓陳星弼走進世界舞臺對中央，是因為他對“第二次電子革命”對的貢獻。20世紀90年代初，行業內專家認為，陳星弼的幾項發明成為第二次電子革命的突破口，這一創新在十年內將無人能突破。

在這背后，陳星弼的付出是巨大的。

陳星弼決心啃下這塊硬骨頭，要讓儀器不僅有了一個“聰明的大腦”，還能做到“四肢發達”，讓做開關的功率管能夠輕松地直接連到集成電路上。

經過多年的試驗，陳星弼通過改變功率管的結構，發明了復合緩沖耐壓結構，現稱為超結器件。

該技術已經獲得美國和中國發明專利。自1998年起，國外已有8家公司在制造。這個方法的工藝被改進后，成本大大下降，目前已成為一種重要產品，科技成果轉化市場規模每年超過10億美元。

沉痛悼念并深切緬懷陳星弼先生!

陳星弼先生千古!